专利简介

一种提升镉基钙钛矿光吸收层结晶度和覆盖率的方法

简介
本发明提供了一种提升镉基钙钛矿光吸收层结晶度和覆盖率的方法，其包括以下步骤：移取镉基钙钛矿前驱液，并采用滴涂法将其滴涂于FTO导电玻璃上；于80‑130℃下，对滴涂于该导电玻璃上的镉基钙钛矿前驱液进行热退火处理。本发明提供的镉基钙钛矿光吸收层呈现出更大尺寸的晶粒和更为良好的薄膜覆盖率，更大尺寸的晶粒可增强电子和空穴载流子在晶粒中的传输并可减少晶界在钙钛矿光吸收层中的数量，还可减少电子和空穴载流子在晶界处的淬灭和复合，进一步可提升电子和空穴载流子在钙钛矿光吸收层中的传输性能；同时，良好的薄膜覆盖率可有效地减少钙钛矿光电化学器件中暗电流现象的产生，并最终有效提升钙钛矿光电化学器件的光电转换效率。

简介

本发明提供了一种提升镉基钙钛矿光吸收层结晶度和覆盖率的方法，其包括以下步骤：移取镉基钙钛矿前驱液，并采用滴涂法将其滴涂于FTO导电玻璃上；于80‑130℃下，对滴涂于该导电玻璃上的镉基钙钛矿前驱液进行热退火处理。本发明提供的镉基钙钛矿光吸收层呈现出更大尺寸的晶粒和更为良好的薄膜覆盖率，更大尺寸的晶粒可增强电子和空穴载流子在晶粒中的传输并可减少晶界在钙钛矿光吸收层中的数量，还可减少电子和空穴载流子在晶界处的淬灭和复合，进一步可提升电子和空穴载流子在钙钛矿光吸收层中的传输性能；同时，良好的薄膜覆盖率可有效地减少钙钛矿光电化学器件中暗电流现象的产生，并最终有效提升钙钛矿光电化学器件的光电转换效率。